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Pesquisadores chineses desenvolveram um dispositivo de memória flash de picossegundos, o PoX, com uma velocidade de programação sem precedentes de 400 picossegundos, equivalente a 25 bilhões de operações por segundo, rompendo os limites de velocidade existentes no armazenamento de informações. Este dispositivo de armazenamento de carga semicondutora, o mais rápido conhecido, terá importantes valores de aplicação para auxiliar na operação ultrarrápida de grandes modelos de IA.

Isso poderia mudar a maneira como vemos o armazenamento Flash.
Estabelecendo um novo padrão para o desempenho da memória Flash, uma equipe de pesquisadores da Universidade Fudan, em Xangai, desenvolveu um dispositivo de memória não volátil, super-rápido, com capacidade de picossegundos. Mas o que exatamente é memória de picossegundos? Ela se refere à memória que consegue ler e gravar dados em um milésimo de nanossegundo ou um trilionésimo de segundo.

O chip recém-desenvolvido, denominado "PoX" (Phase-change Oxide), é capaz de comutar a 400 picossegundos, superando substancialmente o recorde mundial anterior de 2 milhões de operações por segundo.

A SRAM (Static Random Access Memory) e a DRAM (Dynamic Random Access Memory) tradicionais podem gravar dados em tempos que variam de 1 a 10 nanossegundos. No entanto, elas são voláteis, o que significa que todos os dados armazenados são perdidos assim que a energia é desligada.